突破Si:H薄膜的效率“桎梏” ，非晶硅太阳能电池取得了超25%的电池效率
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宣布时间：
2021-09-06
近年来 ，世界各地的工程师一直在开发种种新技术 ，以更可连续地生产和贮存能源。这些技术包括太阳能或光伏电池 ，这是一种可以将太阳光转换为电能的电气设备。
硅异质结(SHJ)太阳能电池和钙钛矿/SHJ串联太阳能电池是两种很有前途的太阳能电池。这两类太阳能电池都是用氢化非晶硅(a-Si:H)制造的 ，非晶硅是硅的一种非晶形式 ，也常用于制造薄膜晶体管、电池和液晶显示器。
A-Si:H由于其低缺陷密度、可调导电性和其他优点 ，已被用于制造光伏电池多年。由于这种质料的优势在很洪流平上取决于氢和硅在3D空间中的配置 ，工程师能够以高精度控制质料的微观结构 ，以制造高性能的器件。
已往 ，质料科学家曾试图使用类金属化学元素硼来掺杂非晶硅 ，以更有效地从太阳获取光线。然而 ，到目前为止 ，其中大大都都取得了糟糕和不可靠的结果。
中国科学院(CAS)、中卫新能源和阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的研究人员推出了一种新战略 ，可以显著提高硼掺杂Si:H薄膜的效率。这一战略在《自然能源》(Nature Energy)杂志上宣布的一篇论文中介绍 ，实质上需要光浸泡薄膜。
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